SK海力士HBM3e内存现已投入量产将于本月晚些时候为NVIDIAAIGPU提供动力

SK海力士已正式开始量产HBM3E内存，并将于本月晚些时候发货给NVIDIA等客户。SK海力士HBM3E内存现已量产，并准时用于NVIDIA的HopperH200和BlackwellB200AIGPUSK海力士宣布开发DRAM近7个月后开始量产HBM3E内存。当时，SK海力士确认NVIDIA和其他合作伙伴将利用其HBM3EDRAM为其下一代AI加速器提供动力。

新闻稿：SK海力士公司今天宣布，其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并于3月下旬向客户供货。七个月前，该公司公布了HBM3E开发的成功。

SK海力士是HBM3E的第一家供应商，HBM3E是一款具有性能最佳的DRAM的产品，延续了HBM3的早期成功。该公司预计HBM3E的成功量产，以及其作为业界首家HBM3供应商的经验，将有助于巩固其在人工智能内存领域的领导地位。

为了构建一个能够快速处理大量数据的成功的人工智能系统，半导体封装应该以大量人工智能处理器和存储器多重连接的方式组成。全球大型科技公司对AI半导体性能的要求越来越高，SK海力士预计HBM3E将成为他们满足这种日益增长的期望的最佳选择。

最新产品在AI内存所需的所有方面(包括速度和热量控制)都是业界最好的。它每秒处理高达1.18TB的数据，相当于一秒钟处理230多部全高清电影(每部5GB)。

由于AI内存的运行速度极高，控制热量是AI内存所需的另一个关键条件。SK海力士的HBM3E采用了先进的MR-MUF工艺，散热性能较上一代提升了10%。