导读 每天产生的数据量激增,据报道,仅过去两年就产生了全球90%的数据,每天的数据量估计高达3.3亿TB。然而,传统存储介质的寿命有限。亥姆霍兹...
每天产生的数据量激增,据报道,仅过去两年就产生了全球90%的数据,每天的数据量估计高达3.3亿TB。然而,传统存储介质的寿命有限。
亥姆霍兹德累斯顿-罗森多夫中心(HZDR)的研究人员表示,他们已经利用激光对核燃料所用材料碳化硅进行加工,开发出一种新型高容量介质,这可能会彻底改变我们存储数据的方式。
该团队由HZDR离子束物理与材料研究所的GeorgyAstakhov博士领导,他们表示,解决这个问题的方法是利用碳化硅中的原子级缺陷创造一种新的长期数据存储概念。这些缺陷由聚焦的质子束或氦离子产生,可提供高空间分辨率、快速写入速度和低能耗,用于存储单个比特。
HZDR团队的方法通过使用4D编码方案克服了当前数据存储解决方案的局限性。这涉及控制横向位置和深度以及缺陷数量,从而能够通过光致发光以光学方式读取数据。使用聚焦电子束激发可以进一步提高面存储密度。
研究人员认为,这些碳化硅磁盘中存储的数据可以保存数代,具体取决于环境条件。“这些缺陷随温度而失活,表明在环境条件下,保留时间至少可以保存几代,”阿斯塔霍夫说。
借助近透视 激光激发、现代编码技术和多层数据存储,该团队希望实现与蓝光盘相当的存储密度。如果使用电子束激发代替光学激发来读取数据,存储密度可以与原型磁带的当前记录相匹配,但存储时间更长,能耗更低。